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高功率sapphire-free藍(白)光發光二極體關鍵技術研發
中興大學強光研究團隊具備有機金屬化學氣相磊晶系統（MOCVD）與磊晶相關技術、準氣相蝕刻技術與光輔助電化學蝕刻技術，並建構相關技術所需設備。藉由研發高功率sapphire-free藍(白)光發光二極體關鍵技術之執行，將可建構學術機構之研發設備與技術之能量，並可使參與本計畫之研發人員提升研發能力，提升各領域之整合能力與研發能量，開發出有別於國外LED大廠之專利佈局技術，提昇國際競爭力。列述兩項目前已完成之重要研究成果。
- 中興大學強光研究團隊已成功開發出低差排缺陷密度、薄磊晶層、低彎曲度、低製程成本之高品質GaN
template，以促進新世代高電流密度白光LED之發展並兼具市場競爭力，我們首創圖案化藍寶石基板(PSS)與側向磊晶技術(ELOG)之結合，將GaN
template缺陷密度從2´109 cm-2降低至~105 cm-2，並將UV
LED元件輸出功率提升了30%，未來有機會取代氮化鎵基板(free-standing GaN
substrate)，應用於紫外光發光二極體甚至藍光雷射二極體潛力無窮。
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高功率且大電流驅動之發光二極體將是照明、車燈與液晶顯示器之重要開發目標。然而氮化鎵系列LED大多成長於藍寶石基板上，藍寶石基板一則散熱不良，一則為絕緣體，
中興大學強光研究團隊搭配成熟之晶圓鍵合、雷射剝離法等先進LED製程技術(與各國際學術單位相比)，開發具有散熱佳之銅基板LED，使其朝高效率LED方向發展。
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